D175K150E Adjustable Power Resistor_Electronic components_ Integrated circuit IC_ Semiconductor components_ Equipment procurement_ EIS LIMITED

D175K150E

：	D175K150E
：	Adjustable Power Resistor
：	Ohmite
：	ADJ PWR RES 150
：	-
：	Bulk
：

D1750A

松下-Panasonic

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors

BD175

TRANSYS

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

JSCC175 JSCD175

捷捷微-JieJie

可控硅&二极管模块

LRD175

里阳-Liown

二极管芯片

V20D175

力特-Littelfuse

径向引线型压敏电阻

JTD175

力特-Littelfuse

J级保险丝

HSBD175

华汕-Huashan

通用晶体管

TLC-USMD175

竞沃-TLC

自恢复保险丝

PSVD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSXD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSYD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSWD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

TLGD175

东芝-Toshiba

2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD

ARU-B100-D175

莱姆-LEM

电流传感器

CSD17559Q5

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17575Q3

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17501Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17506Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17581Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17553Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

RSD175N10FRA

罗姆-ROHM

4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)

CSD17555Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

HD1750FX

意法-ST

最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管

CSD17552Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

BD1754HFN

罗姆-ROHM

带64级调光功能恒电流LED驱动器最多可驱动4个LED

CSD17581Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TD175N16SOF

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

CSD17507Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

PMGD175XNEA

安世-Nexperia

PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET

DD175N30K

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

RSD175N10

罗姆-ROHM

4V Drive Nch MOSFET

CSD17505Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

2SD1757K

罗姆-ROHM

Low VCE(sat) Transistor

CSD17551Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17577Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17576Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17570Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

2SD1758

罗姆-ROHM

Driver Transistor

CSD17522Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

PMGD175XNE

安世-Nexperia

30 V, Dual N-channel Trench MOSFET

CSD17585F5

德州仪器-TI

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17556Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

DD175N

英飞凌-Infineon

Rectifier Diode Module

DD175N32K

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

ADJ PWR RES 150 OHM 175W CHAS MT

Product parameters

PDF(1)

TYPE	DESCRIPTION
Mfr	Ohmite
Series	Dividohm®210
Package	Bulk
Product Status	ACTIVE
Tolerance	±10%
Package / Case	Radial, 3 Lead, Tubular
Adjustment Type	Slide
Mounting Type	Chassis Mount
Diameter	1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
Length	8.500" (215.90mm)
Termination	Solder Lug
Resistance	150 Ohms
Power (Watts)	175 W